Разделы
При элементарном подходе ДН прямоугольной ПА в плоскости H эквивалентна диаграмме щели длиной a, прорезанной в плоском проводящем экране и имеющей равномерное распределение поля. В плоскости E излучение МПА определяется как излучение двух таких щелей, разнесенных на расстояние b. При таком подходе влияние подстилающего диэлектрического слоя не принимают во внимание. В некоторых работах [13] это влияние учитывается введением дополнительного множителя , учитывающего зеркальное отображение магнитного тока в экране.
Более корректное интегрирование распределения эквивалентных магнитных токов по апертуре излучающих торцов МПА приводит к выражениям для ДН
В плоскости H (φ=0)
, (32)
в плоскости E (φ=π/2)
, (33)
где .
Другие материалы
Разработка дискретной системы связи для передачи непрерывных сообщений
На современном этапе развития перед железнодорожным транспортом стоят
задачи по увеличению пропускной и провозной способности, грузовых и
пассажирских перевозок, уменьшению времени оборо ...
Синтез системы автоматизированного управления электроприводом ленточного конвейера дозатора
Одним
из наиболее прогрессивных видов транспорта, обеспечивающих высокую
производительность при больших грузопотоках, является конвейерный транспорт. В
современном производстве конвейер ...
Релейная защита и автоматика
Мощность
ТЭЦ Sтэц
= 450 МВА;
Мощность
кз Sкз =
400 МВА;
Напряжение
ТЭЦ Uтэц
= 6.3 кВ;
Ток
(А) и реак.сопр. (Ом) реактора РБА-6(10)кВ =1000-0,22;
Кабельная
линия ТЭЦ-ГРП ...