Разделы
При элементарном подходе ДН прямоугольной ПА в плоскости H эквивалентна диаграмме щели длиной a, прорезанной в плоском проводящем экране и имеющей равномерное распределение поля. В плоскости E излучение МПА определяется как излучение двух таких щелей, разнесенных на расстояние b. При таком подходе влияние подстилающего диэлектрического слоя не принимают во внимание. В некоторых работах [13] это влияние учитывается введением дополнительного множителя , учитывающего зеркальное отображение магнитного тока в экране.
Более корректное интегрирование распределения эквивалентных магнитных токов по апертуре излучающих торцов МПА приводит к выражениям для ДН
В плоскости H (φ=0)
, (32)
в плоскости E (φ=π/2)
, (33)
где .
Другие материалы
Синтез дискретных устройств
На
современном этапе развития научно-технического прогресса повсеместно, во всех
отраслях промышленности идет автоматизация производства. Автоматизация
производственных п ...
Проектирование цифровой АТС для обслуживания абонентов Управлений железной дороги
Цель
данной курсовой работы-проектирование цифровой АТС для обслуживания абонентов
Управлений железной дороги. В нашем проекте производится выбор оборудования
данной узловой цифровой АТ ...
Разработка технологического процесса производства усилителя мощности
Первым усилителем был, вероятно, прибор
"Аудионс" (Аudions), который построил в 1912 году Ли де Форрест (Lee
De Forest) - изобретатель лампового триода. Его усилитель позволил ...