Разделы
Параметры моделирования:
TRAN 0 9u 0 0.01u
STEP V_V1 LIST 5 10 15 20
PROBE V (alias(*)) I (alias(*)) W (alias(*)) D (alias(*)) NOISE (alias(*))
INC» \SCHEMATIC1.net»
Рис. 40. Схема моделирования импульсных характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером
Рис. 41. Режимные зависимости импульсных свойств биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером
Из графика видно, что время рассасывания уменьшается с увеличением напряжения на коллекторе, т.к. уменьшается толщина базы и в ней накапливается меньший заряд.
Другие материалы
Расчет электропитающей установки для устройств связи и автоматики
Электропитающие установки являются основной частью
электроустановки каждого предприятия электросвязи. Аппаратура связи для своей
работы потребляет электроэнергию при различных напряжения ...
Разработка системы оказания услуг сотовой связи с целью повышения их качества
В более чем 98% регионов Российской Федерации услуги сотовой связи
предоставляют 3 или более оператора. Это говорит о том, что в целом российский
рынок сотовой связи находится в стадии з ...
Разработка схемы и расчет основных параметров фотоприемного устройства ВОЛС
Цель проекта:
Провести разработку схемы и расчет основных параметров фотоприемного
устройства ВОЛС в диапазоне скоростей передачи 1-10 Гбит/с, длина волны 1,55
мкм.
Исходные ...