Режимные зависимости динамических свойств транзистора

Параметры моделирования:

TRAN 0 9u 0 0.01u

STEP V_V1 LIST 5 10 15 20

PROBE V (alias(*)) I (alias(*)) W (alias(*)) D (alias(*)) NOISE (alias(*))

INC» \SCHEMATIC1.net»

Рис. 40. Схема моделирования импульсных характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером

Рис. 41. Режимные зависимости импульсных свойств биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером

Из графика видно, что время рассасывания уменьшается с увеличением напряжения на коллекторе, т.к. уменьшается толщина базы и в ней накапливается меньший заряд.

Другие материалы

Расчет электропитающей установки для устройств связи и автоматики
Электропитающие установки являются основной частью электроустановки каждого предприятия электросвязи. Аппаратура связи для своей работы потребляет электроэнергию при различных напряжения ...

Разработка системы оказания услуг сотовой связи с целью повышения их качества
В более чем 98% регионов Российской Федерации услуги сотовой связи предоставляют 3 или более оператора. Это говорит о том, что в целом российский рынок сотовой связи находится в стадии з ...

Разработка схемы и расчет основных параметров фотоприемного устройства ВОЛС
Цель проекта: Провести разработку схемы и расчет основных параметров фотоприемного устройства ВОЛС в диапазоне скоростей передачи 1-10 Гбит/с, длина волны 1,55 мкм. Исходные ...