Разделы

Режимные зависимости усилительных свойств транзистора

Рис. 38. Схема моделирования режимных зависимостей биполярного транзистора в схеме с общей базой

Параметры моделирования:

DC LIN I_I1 10u 10m 0.1u

PROBE V (alias(*)) I (alias(*)) W (alias(*)) D (alias(*)) NOISE (alias(*))

INC» \SCHEMATIC1.net»

Рис. 39. Зависимости альфа и бета биполярного транзистора от тока базы при разных U коллектора

Другие материалы

Проектирование локальной сети для автоматизированной телефонной станции по 4-му микрорайону г. Абакан
В наш век - век информационных технологий и Научно-технического прогресса для любой организации являются одними из наиболее востребованных такие процессы как скорость ...

Создание лабораторного стенда для изучения аналого-цифрового преобразователя (АЦП) на основе промышленного микроконтроллера
Тема данной бакалаврской работы - создание лабораторного стенда для изучения аналого-цифрового преобразователя (АЦП) на основе промышленного микроконтроллера (МК). Разработка является ак ...

Разработка диспетчерской системы контроля и управления технологическим объектом
Цифровые устройства это устройства, в которых величины принимают два значения: ноль и единица. Шифратором называется комбинационное логическое устройство, преобразующее входной унитар ...

Копирайт 2020 : www.ordinarytech.ru