Режимные зависимости усилительных свойств транзистора

Рис. 38. Схема моделирования режимных зависимостей биполярного транзистора в схеме с общей базой

Параметры моделирования:

DC LIN I_I1 10u 10m 0.1u

PROBE V (alias(*)) I (alias(*)) W (alias(*)) D (alias(*)) NOISE (alias(*))

INC» \SCHEMATIC1.net»

Рис. 39. Зависимости альфа и бета биполярного транзистора от тока базы при разных U коллектора

Другие материалы

Разработка печатной платы игровой приставки Game Boy
Первое поколение компьютеров с архитектурой Фон-Неймана Первой работающей машиной с архитектурой Фон-Неймана стал манчестерский «Baby» - Small-Scale Experimental Machine, созданный в М ...

Проектирование компьютерных сетей
1. Тема проектирования : Распределенная вычислительная сеть . Уровень проектирования : 5 . Теоретический вопрос для проработки : Метод коммутации каналов и сообщений. ...

Ррасчет спектра различных сигналов и их энергетических характеристик
В последнее десятилетие ХХ века произошла научно-техническая революция в области транспортной связи, в основе которой лежат два крупных достижения науки середины нашего столетия: общая теория связи и ...