Разделы

Режимные зависимости усилительных свойств транзистора

Рис. 38. Схема моделирования режимных зависимостей биполярного транзистора в схеме с общей базой

Параметры моделирования:

DC LIN I_I1 10u 10m 0.1u

PROBE V (alias(*)) I (alias(*)) W (alias(*)) D (alias(*)) NOISE (alias(*))

INC» \SCHEMATIC1.net»

Рис. 39. Зависимости альфа и бета биполярного транзистора от тока базы при разных U коллектора

Другие материалы

Создание простейшего устройства, реагирующего на изменение показаний фотодатчика
Современную микроэлектронику трудно представить без такой важной составляющей, как микроконтроллеры. Микроконтроллеры незаметно завоевали весь мир. В последнее время на помощь человеку п ...

Разработка многоканального источника постоянного напряжения, выполненного на основе прямоходового преобразователя
Целью данной курсовой работы является разработка многоканального источника постоянного напряжения, выполненного на основе прямоходового преобразователя. В круг задач, решаемых при проект ...

Сравнение основных систем видеоконференцсвязи
Видеоконференция - это сеанс удаленной связи, во время которого участники могут не только слышать, но и видеть друг друга. Помимо аудио-визуального общения, участники видеоконференции м ...

Копирайт 2020 : www.ordinarytech.ru