Разделы

Режимные зависимости усилительных свойств транзистора

Рис. 38. Схема моделирования режимных зависимостей биполярного транзистора в схеме с общей базой

Параметры моделирования:

DC LIN I_I1 10u 10m 0.1u

PROBE V (alias(*)) I (alias(*)) W (alias(*)) D (alias(*)) NOISE (alias(*))

INC» \SCHEMATIC1.net»

Рис. 39. Зависимости альфа и бета биполярного транзистора от тока базы при разных U коллектора

Другие материалы

Проектирование междугородной магистрали между Пензой и Самарой с использованием оптического кабеля
Требуется спроектировать оптическую кабельную магистраль между городами Пензой и Самарой. Передача данных по оптоволоконным кабелям ВОЛС имеет целый ряд преимуществ над ...

Реконструкция СТС Барун-Хемчикского района Республики Тыва на базе цифровой АТСЭ Квант-Е
В нашей стране проводится большая работа по развитию и автоматизации сельской телефонной связи. Широкое развитие сельской телефонной сети (СТС) страны возможно только на основе полной а ...

Регулирующие малоканальные микропроцессорные контроллеры МПК Ремиконты Р-130
Для микропроцессорного регулирующего контроллера МПК Ремиконты Р-130" (выбранного в соответствии с вариантом 2. Необходимо кратко описать его техническую структуру и программно-алго ...

Копирайт 2021 : www.ordinarytech.ru