Разделы

Импульсные характеристики

Параметры моделирования:0 0.5u 0 0.001uPARAM Ie LIST 10m 100mV (alias(*)) I (alias(*)) W (alias(*)) D (alias(*)) NOISE (alias(*))» \SCHEMATIC1.net»

Рис. 31. Схема моделирования работы биполярного транзистора на импульсах

Рис. 32. График зависимости тока коллектора как функции времени при разных токах эмиттера

С ростом тока эмиттера возрастает количество инжектированных в базу транзистора неосновных носителей заряда, что увеличивает время их рассасывания.

В схеме с общим эмиттером

Параметры моделирования:

STEP PARAM qwe LIST 500u 1m 2m 5mV (alias(*)) I (alias(*)) W (alias(*)) D (alias(*)) NOISE (alias(*))

INC» \SCHEMATIC1.net»

Рис. 33. Схема моделирования импульсных характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером

Рис. 34. Импульсные характеристики биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером

С ростом тока базы возрастает количество инжектированных в базу транзистора неосновных носителей заряда, что увеличивает время их рассасывания. Как видно из рисунка в режиме насыщения коллекторный ток не зависит от тока базы.

Параметры моделирования:0 9u 0 0.001u-60 27 125

PROBE V (alias(*)) I (alias(*)) W (alias(*)) D (alias(*)) NOISE (alias(*))

INC» \SCHEMATIC1.net»

Рис. 35. Зависимость импульсных характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером от температуры

С ростом температуры увеличивается время жизни неосновных носителей заряда что приводит к увеличению времени рассасывания накопленного заряда, т.е. к снижению быстродействия транзистора.

Схема с диодом Шоттки

Диод Шоттки - это полупроводниковый диод, выпрямительные свойства которого основаны на использовании выпрямляющего электрического перехода между металлом и полупроводником.

Рис. 36. Схема моделирования биполярного транзистора с диодом Шоттки

Параметры моделирования:0 9u 0 0.01uV (alias(*)) I (alias(*)) W (alias(*)) D (alias(*)) NOISE (alias(*))

INC» \SCHEMATIC1.net»

Диод Шоттки шунтирует коллекторный переход транзистора, уменьшая степень (глубину) насыщения, что увеличивает быстродействие импульсной схемы при её выключении.

Рис. 37. Импульсные свойства биполярного транзистора с диодом Шоттки

Другие материалы

Релейная защита и автоматика
Мощность ТЭЦ Sтэц = 450 МВА; Мощность кз Sкз = 400 МВА; Напряжение ТЭЦ Uтэц = 6.3 кВ; Ток (А) и реак.сопр. (Ом) реактора РБА-6(10)кВ =1000-0,22; Кабельная линия ТЭЦ-ГРП ...

Разработка фильтра для доплеровского измерителя скорости и угла сноса
Доплеровский измеритель скорости и угла сноса (ДИСС) представляет собой радиолокационную станцию, предназначенную для автоматического непрерывного измерения и индикации составляющ ...

Разработка технологического процесса производства усилителя мощности
Первым усилителем был, вероятно, прибор "Аудионс" (Аudions), который построил в 1912 году Ли де Форрест (Lee De Forest) - изобретатель лампового триода. Его усилитель позволил ...

Копирайт 2021 : www.ordinarytech.ru