Разделы

Частотные характеристики

Помимо моделирования частотных свойств схемы с общим эмиттером из моделирования этой же схемы можно также получить и частотные свойства схемы с общей базой.

Рис. 25. Схема моделирования частотных свойств биполярного p-n-p транзистора

В схеме с общей базой

Параметры моделирования:LIN 1000 10 20MegV (alias(*)) I (alias(*)) W (alias(*)) D (alias(*)) NOISE (alias(*))» \SCHEMATIC1.net»

Рис. 26. Частотная зависимость коэффициента передачи биполярного p-n-p транзистора при разных токах базы в схеме с общей базой

С ростом частоты растёт шунтирующее действие барьерных ёмкостей p-n перехода и в токе эмиттера возрастает не связанная с усилительными свойствами транзистора ёмкостная составляющая тока эмиттера, поэтому усилительные свойства транзистора ухудшаются. С ростом тока базы усиливается действие поля, создаваемого подвижными носителями заряда, ускоряющее движение неосновных носителей заряда. Вследствие этого время пролёта через базу уменьшается, уменьшается рекомбинация в базе и до коллектора доходит большее число неосновных носителей заряда.

Параметры моделирования:

AC LIN 1000 10 20Meg

STEP V_V1 LIST 1 5 20

PROBE V (alias(*)) I (alias(*)) W (alias(*)) D (alias(*)) NOISE (alias(*))

INC» \SCHEMATIC1.net»

Рис. 27. Частотная зависимость коэффициента передачи по току биполярного p-n-p транзистора при разных напряжениях коллектора в схеме с общей базой

При увеличении напряжения на коллекторе расширяется коллекторный переход, т.е. уменьшается толщина нейтральной базы, что приводит к увеличению коэффициента передачи.

В схеме с общим эмиттером

Параметры моделирования:

AC LIN 1000 10 20MegI_I1 LIST 10u 20u 50uV (alias(*)) I (alias(*)) W (alias(*)) D (alias(*)) NOISE (alias(*))» \SCHEMATIC1.net»

Рис. 28. Частотная зависимость коэффициента передачи тока базы в зависимости от выбора рабочей точки (постоянной составляющей тока базы) в схеме с общим эмиттером

В схеме с общим эмиттером проявляются те же эффекты, что и в схеме с общей базой. Поэтому влияние рабочих токов и коллекторного напряжения подобны ранее приведённым.

Параметры моделирования:LIN 1000 10 20MegV_V1 LIST 1 5 20

PROBE V (alias(*)) I (alias(*)) W (alias(*)) D (alias(*)) NOISE (alias(*))

INC» \SCHEMATIC1.net»

Рис. 29. Частотная зависимость коэффициента передачи при разных напряжениях коллектора в схеме с общим эмиттером

Параметры моделирования:LIN 1000 10 20MegV_V1 LIST 1 5 20

PROBE V (alias(*)) I (alias(*)) W (alias(*)) D (alias(*)) NOISE (alias(*))

INC» \SCHEMATIC1.net»

Рис. 30. Частотная зависимость коэффициентов передачи в схемах с общей базой и общим эмиттером

Из графика видно, что частотные свойства биполярного транзистора хуже в схеме с общим эмиттером. Различия в частотных свойствах связаны с тем, что в отличие от схемы с общей базой схеме с общим эмиттером чувствует фазовый сдвиг между токами, в то время как схема с общей базой чувствительна только к амплитудам токов.

Другие материалы

Разработка методики расчета и программы для исследования параболической антенны с полосковым облучателем
В данной дипломной работе было целью разработка методики расчета и программы для исследования параболической антенны с полосковым облучателем. Назначение антенны - прием передач спутнико ...

Разработка подсистемы САПР цифровых фильтров
В данной курсовой работе проводится технико-экономическое обоснование разработки подсистемы САПР цифровых фильтров, устройств, имеющих важное значение для работы любых радиопередающих ус ...

Расчет импульсного усилителя
Усилителем электрических колебаний называется устройство, которое позволяет при наличии на его входе колебания с некоторым уровнем мощности получить на выходной нагрузке те же коле ...

Копирайт 2020 : www.ordinarytech.ru