Разделы

Статические характеристики биполярного p-n-p транзистора в схеме с общим эмиттером

Рис. 21. Схема моделирования выходных ВАХ биполярного p-n-p транзистора в схеме с общим эмиттером

Выходная характеристика

Параметры моделирования:LIN V_V1 0 20 0.01

STEP I_I1 LIST 0 0.1m 0.2m 0.3m 0.4m 0.5mV (alias(*)) I (alias(*)) W (alias(*)) D (alias(*)) NOISE (alias(*))

INC» \SCHEMATIC1.net»

Рис. 22. Выходная ВАХ биполярного p-n-p транзистора в схеме с общим эмиттером

Виден заметный наклон характеристик в области активного режима работы транзистора, что связано с зависимостью коэффициента передачи транзистора по току от напряжения на коллекторе из-за модуляции толщины базовой области транзистора коллекторным напряжением.

Характеристика обратной связи

Параметры моделирования:

DC LIN V_V1 0.001 400m 0.0001I_I1 LIST 0.1m 0.3m 0.5mV (alias(*)) I (alias(*)) W (alias(*)) D (alias(*)) NOISE (alias(*))

INC» \SCHEMATIC1.net»

Рис. 23. График характеристики обратной связи по напряжению биполярного p-n-p транзистора

Из графика видно, что в схеме с общим эмиттером обратная связь по напряжению положительная.

Характеристика прямой передачи

Параметры моделирования:

DC LIN I_I1 10u 500u 0.01uV_V1 LIST 1 10V (alias(*)) I (alias(*)) W (alias(*)) D (alias(*)) NOISE (alias(*))

INC» \SCHEMATIC1.net»

Рис. 24. График зависимости коэффициента передачи по току от рабочего тока при разных коллекторных потенциалах биполярного p-n-p транзистора

При малых токах базы коэффициент передачи нарастает с ростом током базы, что связано с появлением электрического поля в базе. Спад же при больших токах базы связан с эффектом Федотова-Кирка (возрастание толщины базы в биполярном транзисторе с ростом тока коллектора при неизменном напряжении на коллекторе, вызванное уменьшением размера области пространственного заряда коллекторного перехода из-за увеличения концентрации неосновных носителей в базе при больших токах коллектора).

Другие материалы

Разработка компьютерных аналогов схем исследования биполярных транзисторов
В данной работе исследуются возможности применения компьютерного моделирования для изучения характеристик традиционных полупроводниковых приборов. Эта работа фактически позволяет ...

Разработка схемы одноразрядного сумматора на логических элементах
Цифровая электроника в настоящее время все более и более вытесняет традиционную аналоговую. Ведущие фирмы, производящие самую разную электронную аппаратуру, все чаще заявляют о полном п ...

Разработка RTL-модели расширителя линий ввода-вывода микроконтроллера
При проектировании сложных современных устройств используются различные технологии. В настоящее время применение больших интегральных схем (БИС) и сверхбольших интегральных схем (СБИС) ...

Копирайт 2020 : www.ordinarytech.ru