Разделы

Полупроводниковая электроника

Полупроводниковая электроника - отрасль электроники, занимающаяся исследованием электронных процессов в полупроводниках и их использованием - главным образом в целях преобразования и передачи информации. Именно с успехами полупроводниковой электроники связаны, в основном, высокие темпы развития электроники в 50-70-х гг. 20 в. и её проникновение в автоматику, связь, вычислительную технику, системы управления, астрономию, физику, медицину, в исследования космического пространства, в быт и т.д.

Краткая историческая справка.

Основные вехи развития полупроводниковой электроники - открытие Фотоэффекта в селене (У. Смит, США, 1873), открытие односторонней проводимости контакта металла с полупроводником (К.Ф. Браун, 1874), использование кристаллических полупроводников, например галенита (PbS), в качестве Детекторов для демодуляции радиотелеграфных и радиотелефонных сигналов (1900-05), создание медно-закисных (купроксных) и селеновых выпрямителей тока и Фотоэлементов (1920-1926), использование кристаллических детекторов для усиления и генерирования колебаний (О.В. Лосев, 1922), изобретение транзистора (У. Шокли, У. Браттейн, Дж. Бардин, 1948), создание планарной технологии (1959), появление интегральной электроники и переход к микроминиатюризации электронного оборудования (1959-1961). Большой вклад в создание полупроводниковой электроники внесли советские учёные - физики и инженеры (А.Ф. Иоффе, Н.П. Сажин, Я.И. Френкель, Б.М. Вул, В.М. Тучкевич, Г.Б. Абдулаев, Ж.И. Алферов, К.А. Валиев, Ю.П. Докучаев, Л.В. Келдыш, С.Г. Калашников, В.Г. Колесников, А.В. Красилов, В.Е, Лашкарёв, Я.А. Федотов и многие др.).

Физические основы полупроводниковой электроники.

Развитие полупроводниковой электроники стало возможным благодаря фундаментальным научным достижениям в области квантовой механики, физики твёрдого тела и физики полупроводников.

В основе работы полупроводниковых (ПП) электронных приборов и устройств лежат следующие важнейшие свойства полупроводников и электронные процессы в них: одновременное существование носителей заряда двух знаков (отрицательных - электронов проводимости и положительных - дырок); сильная зависимость величины и типа электропроводности от концентрации и типа примесных атомов; высокая чувствительность к воздействию света и тепла, чувствительность к действию магнитного поля и механических напряжений; эффект односторонней проводимости при протекании тока через запирающий слой электронно-дырочного перехода (р-n-перехода) или Шотки барьера, нелинейность вольтамперных характеристик таких слоев, введение (инжекция) неосновных носителей, нелинейная ёмкость р-n-перехода; туннельный переход носителей сквозь потенциальный барьер; лавинное размножение носителей в сильных электрических полях; переход носителей из одного минимума энергетической зоны в другой с изменением их эффективной массы и подвижности и др.

Один из эффектов, наиболее широко используемых в полупроводниковой электронике, - возникновение р-n-перехода на границе областей полупроводника с различными типами проводимости (электронной - в n-области, дырочной - в р-области); его основные свойства - сильная зависимость тока от полярности напряжения, приложенного к переходу (ток в одном направлении может в 106 раз и более превышать ток в др. направлении), и способность к инжекции дырок в n-область (или электронов в р-область) при включении напряжения в направлении пропускания тока через р-n-переход. Свойства, близкие к свойствам р-n-перехода, имеет барьер Шотки, обладающий вентильными свойствами (односторонней проводимостью), но не обладающий способностью к инжекции. И р-n-переход, и барьер Шотки обладают электрической ёмкостью, изменяющейся по нелинейному закону с изменением напряжения. При превышении внешним обратным напряжением определённой величины в них развиваются явления пробоя. Сочетание двух р-n-переходов, расположенных близко в одном кристалле полупроводника, даёт транзисторный эффект: эффект управления током запертого перехода с помощью тока отпертого перехода. Три р-n-перехода в одном кристалле, разделяющие четыре области попеременно электронной и дырочной проводимости, образуют Тиристор. Решающее значение для полупроводниковой электроники имеет транзисторный эффект: именно на его основе работают ПП приборы основного типа - Транзисторы, которые определили коренные изменения в радиоэлектронной аппаратуре и ЭВМ и обеспечили широкое применение систем автоматического управления в технике.

Перейти на страницу: 1 2 3 4

Другие материалы

Проектирование междугородной магистрали между Пензой и Самарой с использованием оптического кабеля
Требуется спроектировать оптическую кабельную магистраль между городами Пензой и Самарой. Передача данных по оптоволоконным кабелям ВОЛС имеет целый ряд преимуществ над ...

Проектирование компьютерных сетей
1. Тема проектирования : Распределенная вычислительная сеть . Уровень проектирования : 5 . Теоретический вопрос для проработки : Метод коммутации каналов и сообщений. ...

Создание закладного устройства передающего сигналы с амплитудной модуляцией
В век информации, когда действует принцип - кто владеет информацией, тот владеет миром, желающих таким образом овладеть миром предостаточно, а значит, существует устойчивый спрос на информацию, получе ...

Копирайт 2020 : www.ordinarytech.ru