Разделы

Принципиальная электрическая схема и расчет усилителя радиочастоты

Среди однотранзисторных схем с биполярными транзисторами в УРЧ на умеренно высоких частотах распространение получила схема с общим эмиттером, позволяющая получить максимальное усиление номинальной мощности при небольшом уровне собственных шумов

Рис.4.1 Схема усилителя радиочастоты с общим эмиттером на дискретных элементах с последовательным питанием

В схеме однокаскадного УРЧ на дискретных элементах (Рис.4.1) параллельный колебательный контур L2, C3 служат резонансной нагрузкой УРЧ, емкости С1, С4 разделяют по постоянному току рассматриваемый каскад от предыдущего и последующего. Резистор R4 осуществляет термостабилизацию каскада, создавая отрицательную последовательную обратную связь по постоянному току. Резистор R3 и конденсатор С6 образуют развязывающий фильтр. Делитель R1 и R2 обеспечивают подачу прямого смешения на эмиттерный переход транзистора, т.е. обеспечивает выбранный режим УРЧ по постоянному току. Через блокировочный конденсатор С5 напряжение сигнала подается непосредственно на эмиттерный переход транзистора, минуя делитель R1 и R2.

· Выбор активных элементов УРЧ

Для однотранзисторных каскадов УРЧ надо выбрать транзистор при таких условиях чтобы

где - граничная частота крутизны характеристики транзистора в схеме с общим эмиттером, при которой падает до 0,7 от своего низкочастотного значения, а - максимальная частота принимаемых сигналов. При выполнении этого неравенства большинство параметров транзистора мало зависит от частоты, благодаря чему удается получить хорошее постоянство характеристики УРЧ в диапазоне частот.

При выполнении этих условиях можно выбрать из ряда следующих транзисторов (ГТ313А, ГТ341А, ГТ311Е и т.д.). Выберем транзистор с характеристиками более удовлетворяющий условию заданных параметров транзистора ГТ313А: Еп = 9 В, Uкэ = 5 В, Ik = 5 мА, IКБО= 2мкА, температурный диапазон (-40+60)о, f0 = 430МГц.

· Расчет элементов, обеспечивающих режим УРЧ

При схеме питания от одного источника, показанной на Рис.5.1, которая обеспечивает термостабилизацию режима по постоянному току и параметров транзистора в приделах от -40 Со до +60 Со , расчет ведется следующей последовательности.

1. определим изменение обратного тока коллектора при заданных параметров транзистора ГТ313А

Еп = 9 В, Uкэ = 5 В, Ik = 5 мА, IКБО= 2мкА, диапазон (-40+60)о,

f0 = 430МГц.

где - обратный ток коллектора при температуре Т0= 293Ко

2. Находим тепловое смешение напряжения базы

3. Рассчитываем необходимую нестабильность коллекторного тока

4. Вычисляем сопротивления резисторов

· Сопротивление эмиттера

· Сопротивление развязывающего фильтра

где - напряжение на коллекторе в рабочей точке

5. Находим сопротивления делителя

6. Подсчитываем емкости конденсаторов

· Расчет блокировочной емкости

· Расчет развязывающей емкости

7. Примем эквивалентную емкость контуров С01 = С02 = С0=5пФ[10]

8. характеристическое сопротивление контуров

9. Эквивалентные затухания контуров определяем из условия найденной полосы пропускания приемника. Принимаем при этом следовательно

где - параметр связи принимаем равным 1.1

10. Эквивалентная проводимость контура

11. Коэффициент включения контуров

Перейти на страницу: 1 2

Другие материалы

Синтез многофункционального конечного автомата2
В системах автоматики, телемеханики и связи, а также в измерительных и вычислительных устройствах производится обработка информации, которая представляется как в цифровой, так и в тексто ...

Синтез дискретных устройств
На современном этапе развития научно-технического прогресса повсеместно, во всех отраслях промышленности идет автоматизация производства. Автоматизация производственных п ...

Синтез многофункционального конечного автомата
Дискретными называются сообщения, состоящие из конечного числа импульсов. Как правило, это документальные сообщения, зафиксированные на бумаге, перфоленте, магнитном или оптическом носит ...

Копирайт 2020 : www.ordinarytech.ru