Разделы

Расчёт параметров полупроводниковых приборов

Таблица 1.4. Значения тока насыщения Is при температурах, равных 250К, 300К и 400К

T, K

250

300

400

Is, A

2.125*

3.959*

4.969*

Дано: глубина залегания эмиттерного перехода hэ = 2.2 мкм, глубина залегания коллекторного перехода hк = 3,2 мкм, концентрация донорной примеси в эмиттере Nдэ = 4*1018 см-3, концентрация донорной примеси в коллекторе Nдк = 3*1016 см-3, концентрация акцепторной примеси в базе Nаб =5* 1016 см-3, время жизни неосновных носителей в базе tб = 9*10-8 с.

Толщина квазинейтральной области базы определяется по формуле:

, (2.1)

где Wб = hк - hэ = 3,2 - 2,2 = 1 (мкм) - металлургическая ширина базы, δpэ - ширина части ОПЗ эмиттерного p-n перехода, δpк - ширина части ОПЗ коллекторного p-n перехода, которые определяются формулами:

(2.2а)

(2.2б)

Равновесные ширины ОПЗ эмиттерного и коллекторного p-n переходов определяются соответственно формулами:

(2.3а)

(2.3б)

где φкэ и φкк - контактные разности потенциалов коллекторного и эмиттерного p-n переходов, определяющиеся выражениями:

(2.4а)

(2.4б)

Проведём вычисления, учитывая что диэлектрическая проницаемость для кремния ε = 11,7, собственная концентрация свободных носителей при Т = 300 К ni = 1,45·1010 см-3.

Коэффициент инжекции из эмиттера в базу определяется выражением:

(2.6)

где Dpэ и Dnб - коэффициенты диффузии дырок в эмиттере и электронов в базе соответственно, определяемые с помощью соотношений Эйнштейна:

(7)

где μn и μp - дрейфовые подвижности электронов и дырок, определяемые при помощи эмпирических формул:

Перейти на страницу: 1 2 3 4 5 6 7 8 9

Другие материалы

Синтез цифрового конечного автомата Мура
Расчет задания Вариант № 37 Задания были рассчитаны с помощью формул: Тип автомата: NВ mod 2 Входные слова: NВ mod 13 Выходные слова: NВ mod 23 Выбор базиса: ...

Разработка приборного оснащения беспилотных летательных аппаратов для контроля санитарно-гигиенических характеристик атмосферного воздуха в приповерхностном слое
Большие объемы выбросов вредных веществ в атмосферу приводят к её интенсивному загрязнению, поэтому вопросы мониторинга загрязнений являются особо важными. Особую сложность представляет ...

Проектирование электропитания устройств связи и автоматики
Система электропитания стационарных устройств связи и автоматики - сложный комплекс, на который приходится более 40 % количества повреждений и стоимости оборудования. Цель работы ...

Копирайт 2019 : www.ordinarytech.ru