Разделы

Расчёт параметров полупроводниковых приборов

Барьерная ёмкость p-n перехода определяется с учётом формулы (12) выражением:

(1.28)

Проведём вычисления:

При U = 0В

При U = -5В

При U = -10В

Из расчётов видно, что с увеличением обратного напряжения барьерная ёмкость p-n перехода уменьшается.

Напряжение лавинного пробоя определяют по полуэмпирической формуле:

(1.29),

где коэффициенты B и a зависят от типа p-n перехода и материала полупроводника. В частности для нашего n+-p кремниевого диода формула (1.29) имеет вид:

(1.30)

Проведём вычисления:

Результаты всех вычислений представим в виде таблиц 1.2 - 1.4:

Таблицы 1.2. Результаты вычислений φк, Еmax, γ, Uлп.

φк, В

Еmax, В/см

γ

Uлп, В

0,8

22684,16

0,979

113,5

Таблица 1.3. Значения СБ, δ, δp, δn при значениях 0В, 5В и 10В

, В

0

5

10

СБ, пФ

0,89

0,33

0,24

δ, см

3,5* 13,3*18,2*

   

δp, см

3,414*12,97*17,75*

   

δn, см

8,635*32,81*44,89*

   
Перейти на страницу: 1 2 3 4 5 6 7 8 9

Другие материалы

Проектирование кабельных сетей и устройств АТиС на перегоне и станции ЭМ-31-8
Железнодорожная сеть представляет собой единую, работающую по общему плану систему, все части которой взаимодействуют друг с другом. Работа всех звеньев ж/д сети не может осуществляться ...

Разработка перспективного источника питания
Для устойчивой работы устройств электроники необходимо наличие стабилизированных источников питания. Формирование этих напряжений осуществляется блоками питания. Работа блоков питания по ...

Реконструкция СТС Барун-Хемчикского района Республики Тыва на базе цифровой АТСЭ Квант-Е
В нашей стране проводится большая работа по развитию и автоматизации сельской телефонной связи. Широкое развитие сельской телефонной сети (СТС) страны возможно только на основе полной а ...

Копирайт 2019 : www.ordinarytech.ru