Разделы

Расчёт параметров полупроводниковых приборов

Барьерная ёмкость p-n перехода определяется с учётом формулы (12) выражением:

(1.28)

Проведём вычисления:

При U = 0В

При U = -5В

При U = -10В

Из расчётов видно, что с увеличением обратного напряжения барьерная ёмкость p-n перехода уменьшается.

Напряжение лавинного пробоя определяют по полуэмпирической формуле:

(1.29),

где коэффициенты B и a зависят от типа p-n перехода и материала полупроводника. В частности для нашего n+-p кремниевого диода формула (1.29) имеет вид:

(1.30)

Проведём вычисления:

Результаты всех вычислений представим в виде таблиц 1.2 - 1.4:

Таблицы 1.2. Результаты вычислений φк, Еmax, γ, Uлп.

φк, В

Еmax, В/см

γ

Uлп, В

0,8

22684,16

0,979

113,5

Таблица 1.3. Значения СБ, δ, δp, δn при значениях 0В, 5В и 10В

, В

0

5

10

СБ, пФ

0,89

0,33

0,24

δ, см

3,5* 13,3*18,2*

   

δp, см

3,414*12,97*17,75*

   

δn, см

8,635*32,81*44,89*

   
Перейти на страницу: 1 2 3 4 5 6 7 8 9

Другие материалы

Разработка устройства для приема информации с сигнальных точек системы частотно-диспетчерского контроля
Исключительную роль в создании условий для модернизации, перехода на инновационный путь развития и устойчивого роста национальной экономики играет эффективное функционирование железнодор ...

Синтез многофункционального конечного автомата2
В системах автоматики, телемеханики и связи, а также в измерительных и вычислительных устройствах производится обработка информации, которая представляется как в цифровой, так и в тексто ...

Синтез устройства управления узлом ЭВМ в программе Electronics Workbench (EWB)
интерфейс синтезируемый Современные приборы и устройства сервиса представляют собой сложные технические системы, реализованные на базе средств вычислительной техники. Цифровые устройства ...

Копирайт 2019 : www.ordinarytech.ru