Разделы

Расчёт параметров полупроводниковых приборов

а диффузионная длина электронов определяется как

(1.20)

Подставив формулы (17) - (20) в (14), получим окончательное выражение для тока насыщения диода:

(1.21)

При этом заметим, что контактная разность потенциалов φk также зависит от температуры:

(1.22)

Зависимость собственной концентрации носителей в Si от температуры определяется выражением:

(1.23)

Подставим (1.23) в (1.22)

(1.24)

Рассчитаем значения φk при температурах T = 250К и T = 400К. Эти значения будем использовать при расчёте токов насыщения:

При T = 250К

При T = 400К

Проведём расчёты для величины тока насыщения диода:

При T = 250К

При T = 300К

При T = 400К

Как видно из вычислений, ток диода очень резко зависит от температуры, значительно увеличиваясь при относительно небольшом изменении температуры. Это можно объяснить увеличением тепловой генерации неосновных носителей вблизи p-n перехода с повышением температуры, концентрация которых возрастает по закону Аррениуса.

В диоде есть ток через p - n переход и есть генерация неосновных носителей из эмиттера в базу и из базы в эмиттер.

Коэффициент инжекции диода определяется как отношение полезной, в данном случае электронной, составляющей тока (плотности тока) к общему току (плотности тока) через p-n переход:

(1.25)

где

(1,26а)

и аналогично

(1.26б)

Для нахождения коэффициента диффузии электронов Dn воспользуемся соотношением Эйнштейна (17). Выражение для коэффициента диффузии дырок Dp имеет аналогичный вид:

(1.27)

Диффузионная длина электронов определяется выражением (19). А диффузионная длина дырок будет определяться выражением (16):

(см)

(см)

Тогда, произведя нужные вычисления, получим:

Перейти на страницу: 1 2 3 4 5 6 7 8 9

Другие материалы

Разработка фотоприемного измерительного блока устройства для тестирования волоконно-оптических сетей доступа
Развитие телекоммуникационных сетей в России, как и в других странах, в первую очередь основывается на использовании оптических кабелей связи. Началом масштабного применения ОКС в Росс ...

Разработка дистанционной следящей системы передачи угла поворота
Дистанционная следящая система передачи угла поворота предназначена для поворота некоторой оси, называемой исполнительной или выходной, осью, по закону, определяемому другой - командной ...

Разработка схемы микроЭВМ на базе микроконтроллера семейства AVR Classic
В данной контрольной работе разработана схема микро-ЭВМ на базе микроконтроллера семейства AVR Classic с подключёнными к нему двумя кнопками (переключателями), двумя светодиодами и дв ...

Копирайт 2019 : www.ordinarytech.ru