Разделы

Расчет минимальной мощности оптического излучения на входе фотоприемника

Так же относительный уровень слагаемого Б зависит от значения M и F. В связи с этим для PIN-фотодиода дробовый шум незначителен. При использовании же APD-фотодиода наблюдается уменьшение слагаемых А и Г, в следствие чего дробовый шум является доминирующим.

Из этих двух пунктов, сделаем вывод, что ФПУ на основе связки с PIN-фотодиодом, выигрывают, хоть и незначительно, по шумовым составляющим диода, у ФПУ на основе связки с APD-фотодиодом.

. Слагаемые А и Г, отвечающие за шумы транзисторов, в ФПУ на основе APD-фотодиода получились на 1-2 порядка ниже, чем у ФПУ на основе PIN-фотодиода. Это связано с присутствием у APD-фотодиода лавинного эффекта. Нетрудно заметить это и из аналитического представления этих слагаемых. При расчете слагаемых А и Г в случае с APD-фотодиодом происходит деление на коэффициент лавинного умножения.

Из вышесказанного сделаем заключение, что APD-фотодиод значительно снижает требования к транзистору.

. Из полученных результатов так же видно, что с биполярным транзистором достигаются лучшие показатели по шумам.

Вторым критерием выбора основы для фотоприемного устройства может служить критерий «чувствительности», но не сложно догадаться, что ФПУ из комбинации APD-фотодиод NEC

Compound

Semiconductor

Devices

NR8300FP-CC - биполярный транзистор Philips SemiconductorsBFS17A будет иметь наибольшую чувствительность в силу того, что рассчитанный ранее ток , для этой комбинации имеет наименьшее значение.

Определим минимальную оптическую мощность этого фотоприёмного устройства:

Исходя из этих двух критериев выбора, в качестве фотодиода фотоприемного устройства выбираем APD-фотодиод NEC

Compound

Semiconductor

Devices

NR8300FP-CC, а в качестве транзистора входного каскада усилителя биполярный транзистор Philips Semiconductors

BFS17A.

Рассчитаем длину регенерационного участка:

Сравним спроектированное нами ФПУ с ФПУ устройствами, изготовленными известными нами производителями (таблица 9):

Таблица 9

Название

BER

В, Гбит/с

Чувств-ть, дБм

Тип кода

Схема усилителя

Спроектированное ФПУ

0.8

-31.781

фотонный

C высоким входным сопротивлением

Eudyna Devices Inc

FRM5W232FY

2.49

-34

NRZ

Трансимп.

Mitsubishi Electric Semiconductor

FU-311SPP-CV4

0.62

-32

NRZ

Трансимп.

Перейти на страницу: 1 2 3 4 5 6 7

Другие материалы

Радиоприёмник с частотной модуляцией
Техника передачи информации с каждым годом приобретает все большее значение, являясь одним из основных компонентов современных систем управления, в том числе и автоматизированного. На ж ...

Создание лабораторного стенда для изучения аналого-цифрового преобразователя (АЦП) на основе промышленного микроконтроллера
Тема данной бакалаврской работы - создание лабораторного стенда для изучения аналого-цифрового преобразователя (АЦП) на основе промышленного микроконтроллера (МК). Разработка является ак ...

Синтез системы управления нестационарным динамическим объектом
синтез нестационарный динамический объект Развитие техники автоматизированного управления связанно с проблемой замены человека в различных звеньях управления производственным процессом. ...

Копирайт 2020 : www.ordinarytech.ru