Разработка компьютерных аналогов схем исследования биполярных транзисторов

В данной работе исследуются возможности применения компьютерного моделирования для изучения характеристик традиционных полупроводниковых приборов. Эта работа фактически позволяет заменить существующие лабораторные работы их компьютерными аналогами, а широкая база имеющихся библиотек электронных компонентов - существенно разнообразить учебные исследования. Имеющиеся библиотеки электронных компонентов позволили даже вернуться к изучению таких приборов как, например варисторы, термисторы, а также добавить к уже существующим в учебном классе лабораторным работам исследования IGBT транзисторов, однопереходных транзисторов и т.д.

Особо стоит отметить то, что впервые с учебной целью было осуществлено цифро-аналоговое моделирование электронных схем, в частности разработана схема характериографа исследования биполярного транзистора как n-p-n, так и p-n-p структуры.

В работе приводится описания схем и режимов моделирования, основных статических и динамических характеристик нелинейных полупроводниковых приборов.

Метод характериографа при исследовании вольт-амперных характеристик биполярного транзистора позволяет наглядно продемонстрировать зависимости, что облегчает процесс обучения. Разработаны два варианта характериографа - с использованием цифрового устройства (ТТЛ счётчика - К155ИЕ5 (74193)) формирования входных токов транзистора и коммутатора входных токов с использованием аналогового ключа на основе микросхемы К590КН6. В отличие от первой схемы с помощью, которой можно исследовать только p-n-p транзисторы, вторая схема позволяет исследовать p-n-p и n-p-n транзисторы.

• Схема на основе синхронного 4-разрядного двоичного счетчика с двойной синхронизацией К155ИЕ5 (74193)
• Схема на основе аналогового коммутатора К590КН6
• Моделирование характеристик биполярных транзисторов
• Статические характеристики биполярного p-n-p транзистора в схеме с общим эмиттером
• Частотные характеристики
• Импульсные характеристики
• Режимные зависимости усилительных свойств транзистора
• Режимные зависимости динамических свойств транзистора
• Моделирование характеристик транзистора Дарлингтона
• Моделирование характеристик однопереходного транзистора
• Моделирование характеристик тиристоров

Другие материалы

Схема организации связи на базе технологии плотного волнового мультиплексирования (DWDM) для участка Москва–Казань
С момента изобретения телефона в 1875 году, ставшего отправной точкой в развитии телефонной связи, методов и технологий передачи голоса, прошло сто лет прежде чем в 1975 году появился пе ...

Разработка технологии ремонта и регулировки модуля кадровой и строчной развертки телевизора Thomson
В 1908 году Алан Арчибальд Кэмпбелл-Свинтон, член Королевского общества (Великобритания), опубликовал письмо в научном журнале Nature, в которой он описал, как "далекие электрического ...

Разработка перспективного источника питания
Для устойчивой работы устройств электроники необходимо наличие стабилизированных источников питания. Формирование этих напряжений осуществляется блоками питания. Работа блоков питания по ...